화성캠퍼스서 EUV 라인 기공식 개최...극자외선 공장, 2019년 하반기 완공·2020년 본격 가동

삼성전자가 2020년까지 6조5000억원을 들여 차세대 미세공정 기술 리더십을 선점하기 위해 경기도 화성에 최첨단 반도체 생산라인 건설의 첫 삽을 떴다.

삼성전자가 23일 경기도 화성캠퍼스에서 '삼성전자 화성 극자외선(EUV) 라인 기공식'을 열고 본격적으로 라인 건설에 착수했다고 밝혔다. 이번에 착공하는 화성 EUV라인은 2019년 하반기에 완공, 시험생산을 거쳐 2020년부터 본격 가동을 시작할 예정이다.

이번 신규라인에는 미세공정 한계 극복에 필수적인 EUV 장비가 본격 도입될 예정으로 삼성전자가 향후 반도체 미세공정 기술 리더십을 유지하는 데 핵심 역할을 할 것으로 예상된다.

반도체 산업은 공정 미세화를 통해 집적도를 높이고 세밀한 회로를 구현하며 반도체의 성능과 전력효율을 향상시켜왔다.

그러나 최근 한 자리 수 나노 단위까지 미세화가 진행됨에 따라 기존 불화아르곤(ArF) 광원보다 파장이 짧은 EUV 장비의 도입으로 보다 세밀한 회로를 구현할 수 있게 됐다.

EUV 기술이 본격 상용화되면 반도체의 성능과 전력효율을 향상시킬 수 있음은 물론 회로 형성을 위한 공정수가 줄어들어, 생산성도 획기적으로 높일 수 있다고 삼성전자 측은 설명했다.

삼성전자는 화성 EUV라인을 통해 향후 모바일·서버·네트워크·슈퍼컴퓨터(HPC) 등 고성능과 저전력이 요구되는 첨단 반도체 시장 수요에 적기에 대응하고, 7나노 이하 파운드리(반도체 위탁생산) 미세공정 시장을 주도해나갈 계획이다.

화성 EUV라인의 초기 투자규모는 건설비용 포함 2020년까지 60억달러(6조5000억원) 수준으로, 삼성전자는 라인 가동 이후 시황에 따라 추가 투자를 추진할 계획이다.

지난 2000년도 삼성전자 화성캠퍼스 개발로 시작된 삼성전자와 화성시의 동반성장은 이번 EUV 신규라인 건설로 더욱 확대될 전망이며, 화성시는 첨단 반도체 산업의 메카로서의 입지를 확고히 하게 됐다.

이날 기공식에는 권칠승 국회의원(화성시병), 황성태 화성시 부시장, 김기남 삼성전자 DS부문장 사장, 정은승 파운드리 사업부장 사장, 지역주민 등 약 300명이 참석했다.

김기남 삼성전자 DS부문장 사장은 기념사를 통해 "이번 화성 EUV 신규라인 구축을 통해 화성캠퍼스는 기흥·화성·평택으로 이어지는 반도체 클러스터의 중심이 될 것"이며, "삼성전자는 산학연 및 관련 업계와의 다양한 상생협력을 통해 국가경제에 기여할 것"이라고 말했다.

이런 가운데 삼성전자는 파운드리 7나노 공정부터 EUV 기술을 적용하기 위한 연구개발을 지속적으로 수행해 왔으며, 글로벌 고객과도 7나노 EUV 공정을 활용한 차세대 반도체 칩 개발에 협력하고 있다. 

삼성전자는 최근 퀄컴과 7나노 파운드리 공정(7LPP) 기반 5G 칩 생산을 협력하기로 했다. 삼성전자는 7나노 공정부터 차세대 노광장비인 EUV를 적용할 예정으로, 삼성전자와 퀄컴은 14나노/10나노에 이어 7나노까지 협력 관계를 확대하기로 했다.

삼성전자는 지난해 5월 EUV 노광 기술을 적용한 7나노 파운드리 공정을 선보이는 등 EUV 기술을 적극 도입하고 있다. 앞으로도 초미세 공정의 한계를 극복해 기술 리더십을 확고히 해 나갈 계획이다.